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Infineon Mosfet, Canale N, 50 MΩ, 24 A, Tdson, Montaggio Superficiale

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Specifiche
MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale N, 50 mΩ, 24 A, TDSON, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 200 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 96 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 20 V, Numero di elementi per chip: 1, Tensione diretta del diodo: 1.2V, MPN: BSC500N20NS3GATMA1

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