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Stmicroelectronics Mosfet Di Potenza, Canale Canale P 700 V, 350 MΩ Miglioramento, 6 A, 2 Pin, TO-252, Montaggio-image

Stmicroelectronics Mosfet Di Potenza, Canale Canale P 700 V, 350 MΩ Miglioramento, 6 A, 2 Pin, TO-252, Montaggio

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MarcaSTMicroelectronics
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STMicroelectronics MOSFET di potenza, canale Canale P 700 V, 350 mΩ Miglioramento, 6 A, 2 Pin, TO-252, Montaggio, Massima corrente di scarico continua (Id): 6A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 700V, Serie: G-HEMT, Tipo montaggio: Montaggio superficiale, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 350mΩ, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 1.5nC, Dissipazione di potenza massima (Pd): 47W, Minima temperatura operativa: -55°C, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): -1.4 to 7 V, Temperatura massima di funzionamento: 150°C, MPN: SGT350R70GTK

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