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Vishay Mosfet, Canale N, 3,1 MΩ, 40 A, Powerpak 1212-8, Montaggio Superficiale

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Specifiche
MarcaVishay
CondizioneNuovo
Descrizione
Vishay MOSFET, canale N, 3,1 mΩ, 40 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Serie: TrenchFET, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1.1V, Dissipazione di potenza massima: 52 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -16 V, +20 V, Carica gate tipica @ Vgs: 51 nC a 10 V, Larghezza: 3.15mm, MPN: SISA04DN-T1-GE3

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