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Vishay Mosfet, Canale P, 11 Ω, 3 A, SOT-23, Montaggio Superficiale

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Specifiche
MarcaVishay
CondizioneNuovo
Descrizione
Vishay MOSFET, canale P, 11 Ω, 3 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Serie: TrenchFET, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, MPN: Si2387DS-T1-GE3

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