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Nexperia Mosfet, Canale P, 170 MΩ, 2,3 A, SOT-23, Montaggio Superficiale-image

Nexperia Mosfet, Canale P, 170 MΩ, 2,3 A, SOT-23, Montaggio Superficiale

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MarcaNexperia
CondizioneNuovo
Descrizione
Nexperia MOSFET, canale P, 170 mΩ, 2,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Serie: BSH205G2, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 0.95V, Tensione di soglia gate minima: 0.45V, Dissipazione di potenza massima: 6,25 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Carica gate tipica @ Vgs: 3,7 nC a -4,5 V, MPN: BSH205G2R

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