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Vishay Mosfet, Canale N, 2,9 Ω, 2,9 A, Dpak (TO-252), Montaggio Superficiale-image

Vishay Mosfet, Canale N, 2,9 Ω, 2,9 A, Dpak (TO-252), Montaggio Superficiale

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MarcaVishay
CondizioneNuovo
Descrizione
Vishay MOSFET, canale N, 2,9 Ω, 2,9 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 62,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±30 V, Carica gate tipica @ Vgs: 7 nC a 10 V, Larghezza: 6.22mm, MPN: SIHD2N80AE-GE3

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