Vishay Siliconix
Vishay Siliconix Mosfet, Canale Tipo N 40 V, 0.001 Ω Miglioramento, 250 A, 7 Pin, TO-263, Superficie SQM40016EM_GE3
Specifiche
MarcaVishay Siliconix
CondizioneNuovo
Descrizione
Vishay Siliconix MOSFET, canale Tipo N 40 V, 0.001 Ω Miglioramento, 250 A, 7 Pin, TO-263, Superficie SQM40016EM_GE3, Massima corrente di scarico continua (Id): 250A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 40V, Serie: TrenchFET, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 0.001Ω, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 245nC, Dissipazione di potenza massima (Pd): 300W, Minima temperatura operativa: -55°C, Tensione diretta (Vf): 1.5V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): ±20 V
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