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Nexperia 2 Mosfet Tipo Isolato, Canale Tipo N, 350 MΩ, 860 Ma 20 V, SC-88, Superficie Miglioramento, 6 Pin PMGD290XN,115-image

Nexperia 2 Mosfet Tipo Isolato, Canale Tipo N, 350 MΩ, 860 Ma 20 V, SC-88, Superficie Miglioramento, 6 Pin PMGD290XN,115

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MarcaNexperia
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Nexperia 2 MOSFET Tipo isolato, canale Tipo N, 350 mΩ, 860 mA 20 V, SC-88, Superficie Miglioramento, 6 Pin PMGD290XN,115, Massima corrente di scarico continua (Id): 860mA, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 20V, Serie: Trench MOSFET, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 350mΩ, Tensione diretta (Vf): 0.8V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 12 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 410mW, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 0.72nC

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