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Stmicroelectronics Mosfet, Canale N, 285 MΩ, 13 A, TO-220, Su Foro

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Specifiche
MarcaSTMicroelectronics
CondizioneNuovo
Descrizione
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 285 mΩ, 13 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Serie: MDmesh, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Carica gate tipica @ Vgs: 35 nC a 10 V, MPN: STP18NM60N

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