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Infineon Mosfet, Canale Tipo N 100 V, 18 MΩ, 56 A, TO-252, Superficie-image

Infineon Mosfet, Canale Tipo N 100 V, 18 MΩ, 56 A, TO-252, Superficie

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MarcaInfineon
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Infineon MOSFET, canale Tipo N 100 V, 18 mΩ, 56 A, TO-252, Superficie, Massima corrente di scarico continua (Id): 56A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 100V, Serie: HEXFET, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 18mΩ, Tensione diretta (Vf): 1.3V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 140W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 69nC, Temperatura massima di funzionamento: 175°C, Altezza: 10.41mm, MPN: IRFR3710ZTRPBF

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