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Infineon Mosfet, Canale Tipo N 950 V, 120 MΩ Miglioramento, 6 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie IPN95R1K2P7ATMA1-image

Infineon Mosfet, Canale Tipo N 950 V, 120 MΩ Miglioramento, 6 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie IPN95R1K2P7ATMA1

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MarcaInfineon
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Infineon MOSFET, canale Tipo N 950 V, 120 mΩ Miglioramento, 6 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie IPN95R1K2P7ATMA1, Massima corrente di scarico continua (Id): 6A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 950V, Serie: CoolMOS P7, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 120mΩ, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 15nC, Dissipazione di potenza massima (Pd): 7W, Minima temperatura operativa: -55°C, Tensione diretta (Vf): 0.9V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V

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