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Infineon Mosfet, Canale Tipo N 600 V, 2 Ω Miglioramento, 2.4 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD60R2K0C6ATMA1

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Specifiche
MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale Tipo N 600 V, 2 Ω Miglioramento, 2.4 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD60R2K0C6ATMA1, Massima corrente di scarico continua (Id): 2.4A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 600V, Serie: CoolMOS C6, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 2Ω, Tensione diretta (Vf): 0.9V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 22.3W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 6.7nC

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