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Infineon Mosfet, Canale Tipo N 40 V, 1.3 MΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, Tdson, Superficie BSC010N04LSATMA1-image

Infineon Mosfet, Canale Tipo N 40 V, 1.3 MΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, Tdson, Superficie BSC010N04LSATMA1

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MarcaInfineon
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Infineon MOSFET, canale Tipo N 40 V, 1.3 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie BSC010N04LSATMA1, Massima corrente di scarico continua (Id): 100A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 40V, Serie: OptiMOS 5, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 1.3mΩ, Tensione diretta (Vf): 1V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 139W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 95nC

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