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Vishay Mosfet, Canale P, 345 MΩ, 1.2 A, SOT-23, Montaggio Superficiale-image

Vishay Mosfet, Canale P, 345 MΩ, 1.2 A, SOT-23, Montaggio Superficiale

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Specifiche
MarcaVishay
CondizioneNuovo
Descrizione
Vishay MOSFET, canale P, 345 mΩ, 1.2 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 1000 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Carica gate tipica @ Vgs: 2,7 nC a 4,5 V, Larghezza: 1.4mm, Lunghezza: 3.04mm, MPN: SI2309CDS-T1-GE3

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