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Infineon Mosfet, Canale Tipo N 550 V, 190 MΩ Miglioramento, 18.5 A, 3 Pin, TO-220, Foro Passante-image

Infineon Mosfet, Canale Tipo N 550 V, 190 MΩ Miglioramento, 18.5 A, 3 Pin, TO-220, Foro Passante

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MarcaInfineon
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Infineon MOSFET, canale Tipo N 550 V, 190 mΩ Miglioramento, 18.5 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante, Massima corrente di scarico continua (Id): 18.5A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 550V, Serie: CoolMOS CE, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 190mΩ, Tensione diretta (Vf): 0.85V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 30 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 127W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 47.2nC, MPN: IPP50R190CEXKSA1

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