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Infineon Mosfet, Canale Tipo N 200 V, 11.5 MΩ Miglioramento, 100 A, 3 Pin, TO-247, Foro Passante IRF200P223-image

Infineon Mosfet, Canale Tipo N 200 V, 11.5 MΩ Miglioramento, 100 A, 3 Pin, TO-247, Foro Passante IRF200P223

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MarcaInfineon
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Infineon MOSFET, canale Tipo N 200 V, 11.5 mΩ Miglioramento, 100 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante IRF200P223, Massima corrente di scarico continua (Id): 100A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 200V, Serie: HEXFET, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 11.5mΩ, Tensione diretta (Vf): 1.2V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 313W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 55nC

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