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Vishay Mosfet, Canale Tipo N 100 V, 6.9 MΩ Miglioramento, 67.5 A, 8 Pin, SO-8, Superficie

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MarcaVishay
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Descrizione
Vishay MOSFET, canale Tipo N 100 V, 6.9 mΩ Miglioramento, 67.5 A, 8 Pin, SO-8, Superficie, Massima corrente di scarico continua (Id): 67.5A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 100V, Serie: SiR882BDP, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 6.9mΩ, Tensione diretta (Vf): 1.1V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 83.3W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 54nC, MPN: SiR882BDP-T1-RE3

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