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Onsemi Mosfet, Canale P, 55 MΩ, 2,4 A, SOT-23, Montaggio Superficiale

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Specifiche
Marcaonsemi
CondizioneNuovo
Descrizione
onsemi MOSFET, canale P, 55 mΩ, 2,4 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 0.6V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -12 V, +12 V, Altezza: 0.94mm, Lunghezza: 2.92mm, MPN: FDN302P

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