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Infineon Mosfet, Canale N, 82 MΩ, 2,3 A, SOT-23, Montaggio Superficiale-image

Infineon Mosfet, Canale N, 82 MΩ, 2,3 A, SOT-23, Montaggio Superficiale

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MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale N, 82 mΩ, 2,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Serie: OptiMOS™ 2, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 0.75V, Tensione di soglia gate minima: 0.3V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Carica gate tipica @ Vgs: 1,7 nC a 2,5 V, MPN: BSS806NEH6327XTSA1

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