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Onsemi Mosfet, Canale Tipo P 60 V, 185 MΩ Miglioramento, 9.4 A, 3 Pin, TO-252, Superficie FQD11P06TM-image

Onsemi Mosfet, Canale Tipo P 60 V, 185 MΩ Miglioramento, 9.4 A, 3 Pin, TO-252, Superficie FQD11P06TM

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Marcaonsemi
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Descrizione
onsemi MOSFET, canale Tipo P 60 V, 185 mΩ Miglioramento, 9.4 A, 3 Pin, TO-252, Superficie FQD11P06TM, Massima corrente di scarico continua (Id): 9.4A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 60V, Serie: QFET, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 185mΩ, Tensione diretta (Vf): -4V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 30 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 2.5W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 13nC

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