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Infineon Mosfet Canale N, Canale Tipo N 120 V, 7.8 MΩ Miglioramento, 85 A, 8 Pin, PG-TDSON-8, Superficie-image

Infineon Mosfet Canale N, Canale Tipo N 120 V, 7.8 MΩ Miglioramento, 85 A, 8 Pin, PG-TDSON-8, Superficie

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MarcaInfineon
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Infineon Mosfet canale N, canale Tipo N 120 V, 7.8 mΩ Miglioramento, 85 A, 8 Pin, PG-TDSON-8, Superficie, Massima corrente di scarico continua (Id): 85A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 120V, Serie: ISC, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 7.8mΩ, Tensione diretta (Vf): 1V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 125W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 21nC, MPN: ISC078N12NM6ATMA1

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