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Onsemi Mosfet, Canale N, 110 MΩ, 2,4 A, SOT-23, Montaggio Superficiale-image

Onsemi Mosfet, Canale N, 110 MΩ, 2,4 A, SOT-23, Montaggio Superficiale

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Specifiche
Marcaonsemi
CondizioneNuovo
Descrizione
onsemi MOSFET, canale N, 110 mΩ, 2,4 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.4V, Tensione di soglia gate minima: 0.6V, Dissipazione di potenza massima: 480 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±12 V, Carica gate tipica @ Vgs: 4,76 nC @ 4,5 V, Larghezza: 1.4mm, MPN: NTR4170NT1G

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