Infineon
Infineon Mosfet, Canale Tipo N 55 V, 8 MΩ Miglioramento, 110 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRF3205STRLPBF
Specifiche
MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale Tipo N 55 V, 8 mΩ Miglioramento, 110 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRF3205STRLPBF, Massima corrente di scarico continua (Id): 110A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 55V, Serie: HEXFET, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 8mΩ, Tensione diretta (Vf): 1.3V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 200W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 146nC
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