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Infineon Mosfet E Diodo, Canale Tipo N 40 V, 9 MΩ Miglioramento, 77 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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MarcaInfineon
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Descrizione
Infineon MOSFET e diodo, canale Tipo N 40 V, 9 mΩ Miglioramento, 77 A, 3 Pin, TO-252, Superficie, Massima corrente di scarico continua (Id): 77A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 40V, Serie: HEXFET, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 9mΩ, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 90W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 45nC, Temperatura massima di funzionamento: 175°C, MPN: IRFR3504ZTRPBF

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