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Stmicroelectronics Igbt, Vce 600 V, Ic 120 A, Canale N, TO-247-image

Stmicroelectronics Igbt, Vce 600 V, Ic 120 A, Canale N, TO-247

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MarcaSTMicroelectronics
CondizioneNuovo
Descrizione
STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 120 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 469 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 15.75 x 5.15 x 20.15mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: STGW80V60DF

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