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Infineon Mosfet, Canale N, 66 MΩ, 23 A, Tdson, Montaggio Superficiale

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Specifiche
MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale N, 66 mΩ, 23 A, TDSON, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 32 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 1.1mm, MPN: BSC340N08NS3 G

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