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Infineon Mosfet, Canale N, 3,2 MΩ, 171 A, TO-220AB, Su Foro-image

Infineon Mosfet, Canale N, 3,2 MΩ, 171 A, TO-220AB, Su Foro

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MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale N, 3,2 mΩ, 171 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 30 V, Serie: HEXFET, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.2V, Tensione di soglia gate minima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 125 W, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Carica gate tipica @ Vgs: 40 nC a 4,5 V, Larghezza: 4.83mm, MPN: IRLB8314PBF

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