onsemi
Onsemi Mosfet, Canale Tipo N 100 V, 180 MΩ Miglioramento, 10 A, 3 Pin, TO-252, Superficie
Specifiche
Marcaonsemi
CondizioneNuovo
Descrizione
onsemi MOSFET, canale Tipo N 100 V, 180 mΩ Miglioramento, 10 A, 3 Pin, TO-252, Superficie, Massima corrente di scarico continua (Id): 10A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 100V, Serie: QFET, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 180mΩ, Tensione diretta (Vf): 1.5V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 25 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 2.5W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 12nC, MPN: FQD13N10TM
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