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Infineon Mosfet, Canale Tipo N 30 V, 7.8 MΩ Miglioramento, 40 A, 8 Pin, Tsdson, Superficie BSZ050N03LSGATMA1-image

Infineon Mosfet, Canale Tipo N 30 V, 7.8 MΩ Miglioramento, 40 A, 8 Pin, Tsdson, Superficie BSZ050N03LSGATMA1

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MarcaInfineon
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Infineon MOSFET, canale Tipo N 30 V, 7.8 mΩ Miglioramento, 40 A, 8 Pin, TSDSON, Superficie BSZ050N03LSGATMA1, Massima corrente di scarico continua (Id): 40A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 30V, Serie: OptiMOS 3, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 7.8mΩ, Tensione diretta (Vf): 1.2V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 50W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 26nC

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