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Infineon Mosfet, Canale Tipo N 100 V, 14.9 MΩ Miglioramento, 10 A, 8 Pin, Pqfn, Superficie

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MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale Tipo N 100 V, 14.9 mΩ Miglioramento, 10 A, 8 Pin, PQFN, Superficie, Massima corrente di scarico continua (Id): 10A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 100V, Serie: HEXFET, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 14.9mΩ, Tensione diretta (Vf): 1.3V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 104W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 40nC, MPN: IRFH5210TRPBF

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