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Infineon Mosfet, Canale Tipo N 60 V, 1.7 MΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB80N06S4L07ATMA2-image

Infineon Mosfet, Canale Tipo N 60 V, 1.7 MΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB80N06S4L07ATMA2

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MarcaInfineon
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Infineon MOSFET, canale Tipo N 60 V, 1.7 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB80N06S4L07ATMA2, Massima corrente di scarico continua (Id): 80A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 60V, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 1.7mΩ, Tensione diretta (Vf): 1.3V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 81W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 80nC

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