Infineon
Infineon Mosfet E Diodo, Canale Tipo N 800 V, 750 MΩ Miglioramento, 7 A, 3 Pin, TO-251, Foro Passante IPS80R750P7AKMA1
Specifiche
MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET e diodo, canale Tipo N 800 V, 750 mΩ Miglioramento, 7 A, 3 Pin, TO-251, Foro passante IPS80R750P7AKMA1, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 800V, Serie: CoolMOS P7, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 750mΩ, Tensione diretta (Vf): 0.9V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 51W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 17nC
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