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Onsemi Mosfet, Canale Tipo N 650 V, 19.3 MΩ Miglioramento, 75 A, 4 Pin, TO-247, Foro Passante NTH4LN019N65S3H
Specifiche
Marcaonsemi
CondizioneNuovo
Descrizione
onsemi MOSFET, canale Tipo N 650 V, 19.3 mΩ Miglioramento, 75 A, 4 Pin, TO-247, Foro passante NTH4LN019N65S3H, Massima corrente di scarico continua (Id): 75A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 650V, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 19.3mΩ, Tensione diretta (Vf): 1.2V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 30 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 625W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 282nC
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