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Infineon Mosfet, Canale Tipo N 100 V, 15.4 MΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, A-262, Foro Passante IPI086N10N3GXKSA1-image

Infineon Mosfet, Canale Tipo N 100 V, 15.4 MΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, A-262, Foro Passante IPI086N10N3GXKSA1

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MarcaInfineon
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Infineon MOSFET, canale Tipo N 100 V, 15.4 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, A-262, Foro passante IPI086N10N3GXKSA1, Massima corrente di scarico continua (Id): 80A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 100V, Serie: OptiMOS 3, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 15.4mΩ, Tensione diretta (Vf): 1.2V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 125W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 42nC, MPN: IPI086N10N3 G

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