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Infineon Mosfet, Canale Tipo N 650 V, 125 MΩ Miglioramento, 18 A, 3 Pin, TO-247, Foro Passante

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MarcaInfineon
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Descrizione
Infineon MOSFET, canale Tipo N 650 V, 125 mΩ Miglioramento, 18 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante, Massima corrente di scarico continua (Id): 18A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 650V, Serie: CoolMOS C7, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 125mΩ, Tensione diretta (Vf): 0.9V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 101W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 35nC, MPN: IPW65R125C7XKSA1

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