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Onsemi Mosfet, Canale P, 10 Ω, 120 Ma, SOT-23, Montaggio Superficiale-image

Onsemi Mosfet, Canale P, 10 Ω, 120 Ma, SOT-23, Montaggio Superficiale

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Specifiche
Marcaonsemi
CondizioneNuovo
Descrizione
onsemi MOSFET, canale P, 10 Ω, 120 mA, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 360 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Carica gate tipica @ Vgs: 1,8 nC a 10 V, Larghezza: 1.3mm, Lunghezza: 2.92mm, MPN: NDS0610

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