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Onsemi Mosfet, Canale P, 10 Ω, 130 Ma, SOT-23, Montaggio Superficiale

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Specifiche
Marcaonsemi
CondizioneNuovo
Descrizione
onsemi MOSFET, canale P, 10 Ω, 130 mA, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 50 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 0.8V, Dissipazione di potenza massima: 360 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Carica gate tipica @ Vgs: 0,9 nC a 5 V, Larghezza: 1.3mm, Lunghezza: 2.92mm, MPN: BSS84

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