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Infineon Mosfet, Canale Tipo N 55 V, 65 MΩ Miglioramento, 28 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IRLR2705TRPBF-image

Infineon Mosfet, Canale Tipo N 55 V, 65 MΩ Miglioramento, 28 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IRLR2705TRPBF

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MarcaInfineon
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Infineon MOSFET, canale Tipo N 55 V, 65 mΩ Miglioramento, 28 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IRLR2705TRPBF, Massima corrente di scarico continua (Id): 28A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 55V, Serie: HEXFET, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 65mΩ, Tensione diretta (Vf): 1.3V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 16 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 68W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 25nC

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