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Infineon Mosfet, Canale Tipo N 60 V, 7.8 MΩ Miglioramento, 50 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD50N06S4L08ATMA2-image

Infineon Mosfet, Canale Tipo N 60 V, 7.8 MΩ Miglioramento, 50 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD50N06S4L08ATMA2

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MarcaInfineon
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Infineon MOSFET, canale Tipo N 60 V, 7.8 mΩ Miglioramento, 50 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD50N06S4L08ATMA2, Massima corrente di scarico continua (Id): 50A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 60V, Serie: OptiMOS, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 7.8mΩ, Tensione diretta (Vf): 1.3V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 16 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 71W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 49nC

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