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Infineon Mosfet, Canale N, 1,8 Ω, 660 Ma, SOT-223, Montaggio Superficiale-image

Infineon Mosfet, Canale N, 1,8 Ω, 660 Ma, SOT-223, Montaggio Superficiale

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Specifiche
MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale N, 1,8 Ω, 660 mA, SOT-223, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 200 V, Numero pin: 3 + Tab, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.8V, Tensione di soglia gate minima: 0.8V, Dissipazione di potenza massima: 1,8 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 1.6mm, MPN: BSP297H6327XTSA1

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