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Infineon Mosfet, Canale N, 1,8 Ω, 660 Ma, SOT-223, Montaggio Superficiale-image

Infineon Mosfet, Canale N, 1,8 Ω, 660 Ma, SOT-223, Montaggio Superficiale

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MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale N, 1,8 Ω, 660 mA, SOT-223, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 200 V, Serie: SIPMOS®, Modalità del canale: Depletion, Tensione di soglia gate massima: 1V, Tensione di soglia gate minima: 2.1V, Dissipazione di potenza massima: 1,8 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Carica gate tipica @ Vgs: 11 nC a 5 V, MPN: BSP149

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