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Infineon Mosfet, Canale P, 60 MΩ, 38 A, I2PAK (TO-262), Su Foro-image

Infineon Mosfet, Canale P, 60 MΩ, 38 A, I2PAK (TO-262), Su Foro

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Specifiche
MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale P, 60 mΩ, 38 A, I2PAK (TO-262), Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Serie: HEXFET, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 3,1 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Carica gate tipica @ Vgs: 150 nC @ 10 V, MPN: IRF5210LPBF

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