Infineon
Infineon Mosfet, Canale Tipo P 100 V, 60 MΩ Miglioramento, 38 A, 3 Pin, I2PAK (TO-262), Foro Passante IRF5210LPBF
Specifiche
MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale Tipo P 100 V, 60 mΩ Miglioramento, 38 A, 3 Pin, I2PAK (TO-262), Foro passante IRF5210LPBF, Massima corrente di scarico continua (Id): 38A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 100V, Serie: HEXFET, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 60mΩ, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 150nC, Dissipazione di potenza massima (Pd): 170W, Minima temperatura operativa: -55°C, Tensione diretta (Vf): 1.6V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): ±20 V
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