Infineon
Infineon Mosfet, Canale Tipo P 100 V, 60 MΩ Miglioramento, 40 A, 3 Pin, TO-220, Foro Passante IRF5210PBF
Specifiche
MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale Tipo P 100 V, 60 mΩ Miglioramento, 40 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRF5210PBF, Massima corrente di scarico continua (Id): 40A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 100V, Serie: HEXFET, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 60mΩ, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 180nC, Dissipazione di potenza massima (Pd): 200W, Minima temperatura operativa: -55°C, Tensione diretta (Vf): -1.6V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V
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