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Infineon Mosfet, Canale Tipo P 55 V, 60 MΩ Miglioramento, 31 A, 3 Pin, TO-220, Foro Passante

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MarcaInfineon
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Descrizione
Infineon MOSFET, canale Tipo P 55 V, 60 mΩ Miglioramento, 31 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante, Massima corrente di scarico continua (Id): 31A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 55V, Serie: HEXFET, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 60mΩ, Tensione diretta (Vf): -1.3V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 110W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 63nC, MPN: IRF5305PBF

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