Infineon
Infineon Mosfet, Canale Tipo P 55 V, 175 MΩ Miglioramento, 12 A, 3 Pin, TO-220, Foro Passante IRF9Z24NPBF
Specifiche
MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale Tipo P 55 V, 175 mΩ Miglioramento, 12 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRF9Z24NPBF, Massima corrente di scarico continua (Id): 12A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 55V, Serie: HEXFET, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 175mΩ, Tensione diretta (Vf): -1.6V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 45W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 19nC
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