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Rohm Mosfet Singoli, Canale Tipo P 80 V, 650 MΩ Miglioramento, 3 Pin, TO-252 (Tl), Superficie

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MarcaROHM
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ROHM MOSFET singoli, canale Tipo P 80 V, 650 mΩ Miglioramento, 3 Pin, TO-252 (TL), Superficie, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 80V, Serie: RD3N045AT, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 650mΩ, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 5.9nC, Dissipazione di potenza massima (Pd): 17W, Minima temperatura operativa: -55°C, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): ±20 V, Temperatura massima di funzionamento: 175°C, Altezza: 2.3mm, MPN: RD3N045ATTL1

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