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Rohm Mosfet Singoli, Canale Tipo P 80 V, 56 MΩ Miglioramento, 3 Pin, TO-252 (Tl), Superficie

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MarcaROHM
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Descrizione
ROHM MOSFET singoli, canale Tipo P 80 V, 56 mΩ Miglioramento, 3 Pin, TO-252 (TL), Superficie, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 80V, Serie: RD3N03BAT, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 56mΩ, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 50nC, Dissipazione di potenza massima (Pd): 54W, Minima temperatura operativa: -55°C, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): ±20 V, Temperatura massima di funzionamento: 175°C, Altezza: 2.3mm, MPN: RD3N03BATTL1

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