Infineon
Infineon Mosfet, Canale Tipo N 650 V, 18 MΩ Miglioramento, 111 A, 3 Pin, TO-247, Superficie
Specifiche
MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale Tipo N 650 V, 18 mΩ Miglioramento, 111 A, 3 Pin, TO-247, Superficie, Massima corrente di scarico continua (Id): 111A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 650V, Serie: CoolMOS, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 18mΩ, Tensione diretta (Vf): 1V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 416W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 251nC, MPN: IPW60R018CFD7XKSA1
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