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Infineon Mosfet, Canale N, 5,7 MΩ, 100 A, Tdson, Montaggio Superficiale-image

Infineon Mosfet, Canale N, 5,7 MΩ, 100 A, Tdson, Montaggio Superficiale

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MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale N, 5,7 mΩ, 100 A, TDSON, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Serie: OptiMOS™ 5, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.8V, Tensione di soglia gate minima: 2.2V, Dissipazione di potenza massima: 104 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 20 V, Carica gate tipica @ Vgs: 43 nC a 10 V, MPN: BSC040N08NS5ATMA1

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